调研问答全文
东光微电 (002504) 2012-07-06
调研内容：
光大证券： 公司原有业务为防护器件、可控硅、1300X和VDMOS，上市后也没有太多的资本运作，对于后期发展，公司如何规划？未来2-3年增长点何在？
东光微电： 我们有进行一些资本运作，对与我们产品或封装上配套的企业有收购的意向，正在进一步的计划考虑中。对于未来2-3年的规划，首先，防护器件方面，我们在国内的市场排名还是占第一位的，我们正逐步往网络防护领域走，原来是固化的防护，现在要做更小更精更细的气化防护，也就是我们的气体放电管。为此我们还专门设立了子公司，来满足用于出口这块的特殊要求。另外，现公司大楼、工艺及动力设备方面已在逐步安装调试，新的4寸防护器件计划今年年内投产。可控硅正在进行结构调整，原来多用于民用领域，如小家电、摩托车等，未来将往工业控制、电网等领域转变，如固态继电器。还可为客户设计提供方片、裸片。1300方面，我们之前主动做了一些结构上的调整，1300比例有所收缩，目前留了一些比较好的重大客户，今后1300将配合IGBT的生产，因为我们接下来的重点逆导型RC-IGBT在国内还是第一家。IGBT原来是采用双芯片封装，而我们现在可以做到单芯片封装，这在国内还是首例。
光大证券： 公司分别使用3474万元和6233万元超募资金对募投项目--半导体防护功率器件生产线项目、新型功率半导体器件生产线技术改造项目追加投资，主要是基于怎样的考虑？
东光微电： 首先是为了技术创新，结构优化，提高盈利能力。公司不断进行新产品研发和技术创新，项目技术得到进一步的升级，随着新产品--IGBT、高压大电流MOS及可编程瞬态保护器产品的成功研发，更加优化了产品结构、提高了产品技术含量，丰富了产品种类并拓展了应用领域，进一步提升公司的核心竞争力、提高盈利能力。其次，缓解产能不足，满足公司销售规模的增长。由于近年来公司加大新产品研发，随着新品领域的不断扩大，生产负荷日益饱满，已逐渐显现出产能不足的突出矛盾。公司未来销售进一步增加，迫切需要增加投资，扩大防护器件、MOS、IGBT的生产能力，增加生产车间面积，增加生产设备数量及相应配套设施，有利于进一步提高公司产能，从而满足公司销售的需要。最后，有利于提高募集资金的使用效率。中国半导体的发展前景良好，随着公司加大国际及国内市场的开拓力度，销售规模不断增长，特别是国内市场销售份额迅速提升，原项目设计的产能已不适应公司业务发展需要，公司管理层认为，为达满足日益增长的市场需求，同时提高募集资金的使用效率，有必要利用部分超募资金对募投项目追加投资，进一步提高生产能力，巩固公司在半导体行业的领先地位，同时优化公司产品结构，提高产品附加值，增强公司产品竞争力。
光大证券： 在新产品开发的低电流IGBT产品目前市场开拓情况如何？
东光微电： IGBT产品，公司目前已实现15A1200V产品的批量生产，公司与江苏华创的合作引进高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术，已成功研发25A1200V、40A600V产品，同时，正在对75A1700V产品进行版图设计及工艺流程设计。2011年，公司与东方电气集团控股的江苏华创光电科技有限公司签订技术转让合同，受让“IGBT及FWD芯片设计制造技术“，技术服务的期限为三年，公司向江苏华创支付技术转让费400万元。此次与江苏华创的合作将进一步提升IGBT产品的档次。推进高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术的发展，填补国内在高压大功率电力电子器件方面的空白。另外公司自主研发的集成NPT-IGBT和续流二极管的RC-IGBT，该技术属国际领先技术，我公司是国内第一家掌握此技术并成功推向市场。2012年，公司将加快高新产品的研发，进一步巩固并拓展应用市场。
光大证券： 2011年公司存货大量增加，2012年第一季度继续增加到7300多万公司解释是由于市场景气度下行造成存货高企，公司存货是否存在减值的风险？公司是否会计提存货跌价准备?
东光微电：报告期存货增长较多，存货周转率与上年同比有所下降，原因为
（1）报告期市场景气度下行，生产环节各类存货周转时间延长、速度放缓；
（2）MOS库存增长是报告期存货增长的主要原因。公司MOS线从2008年开始生产，至报告期末产量、销量逐年增长，目前公司拥有MOS客户繁多，需要为客户配备各种型号参数的产品库存来满足市场需求，并且11年公司新研发成功的IGBT进入市场，为完成销售拓展，配备了生产各个环节存货。
光大证券： 2011年公司产品主要为防护器件、可控硅、1300X、VDMOS，生产线产能利用率情况如何？
东光微电： （1）防护器件生产线由于固体管市场的过度饱和，新产品与老生产线的不匹配，产能利用率为95%。
（2）可控硅线由于小家电类市场的需求下降，整个大环境的影响，致使直接影响到可控硅的产量。
（3）1300线由于公司采取收缩市场的办法来应对1300大环境的疲软现象，固11年减少投入与产出，产能利用率仅为39%。
（4）VDMOS生产线从08年开始生产，至11年产能利用率分别为24%、50%、68%、74%，呈持续增长趋势。VDMOS市场供不应求，但产能未完全释放，原因是目前生产线上进行VDMOS系列化产品的研发、IGBT新品研发和国家电子发展基金招标项目的研发占用了部分产能。
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