调研问答全文
耐威科技 (300456) 2019-09-10
第一部分：聚能晶源董事、总经理袁理博士带领参观聚能晶源厂区，介绍第三代半导体材料制造项目（一期）的投产情况。
第二部分：聚能晶源董事、总经理袁理博士，董事会秘书张阿斌先生，财务总监蔡猛先生解答提问，主要提问及解答如下：
1、请问聚能晶源最新投产的8英寸GaN外延材料总投资金额在什么水平？
答：聚能晶源第三代半导体材料制造项目一期投资为5,200万元，实现了一套从特殊气体、外延材料生长到性能检测的完整工序。第三代半导体材料制造项目的二期投资为1.48亿元，二期以及后续的投资强度及进度取决于市场情况及公司的经营战略规划。
2、请问项目投产后若实现满产，年产能预计达到多少？年产值预计多少？预计的产能爬坡需要多长时间？
答：聚能晶源GaN外延材料项目一期的设计总产能为1万片/年，若投产后能达到满产状态，根据目前市场价格大致估算，年产值可达1亿元左右；因公司当前正在持续与下游厂商展开合作，产能爬坡时间还不好确定。
3、请问项目的固定资产折旧从何时开始？折旧期限多长？
答：聚能晶源的固定资产在相关设备安装完成后开始计提折旧，大部分设备计提折旧起始时间为今年10月，年限为10年。
4、请问公司氮化镓8英寸外延片的应用场景有哪些？目前最受关注的领域是哪些？
答：聚能晶源氮化镓外延材料面向新一代功率与微波器件应用，提供高性能低成本的GaN材料产品和技术。外延材料供各类设计公司与代工企业采购使用，应用场景包括消费电子、云计算/基站、激光雷达和5G通讯。目前最受关注的领域为电源管理及通讯基站。
5、请问氮化镓8寸外延片的技术壁垒如何？目前全球最领先的水平是怎样的？
答：由于氮化镓与硅材料存在显著的晶格失配及热失配，大尺寸硅基GaN材料在外延生长过程中应力控制非常困难，8英寸硅基GaN外延材料在应力控制方面的难度是6英寸晶圆的两倍。随着技术的发展，硅基GaN由4英寸、6英寸一直发展到8英寸，目前全球最领先的水平即为8英寸硅基GaN外延技术。
6、请问氮化镓外延产品的竞争对手有哪些？国际、国内的情况具体是怎样的？
答：随着5G时代的到来及物联网产业的发展，第三代半导体材料与器件的市场需求正迅速增长，该领域必将涌现一批专业厂商。聚能晶源直接参与全球合作与竞争。氮化镓材料领域国际上的知名厂商包括日本NTT-AT、日本Dowa、法国Soitec、英国IQE等；国内氮化镓市场还处于初步发展阶段，目前已有多家企业涉足；光电领域已有成熟规模厂商，功率与微波领域，数家厂商一同成长并竞争。
7、5G场景中对于氮化镓外延片的需求情况如何？
答：5G场景中，基站部分在射频功放与电源方面均需要GaN器件，而手机等终端部分在电源方面也可用到GaN器件。相关器件可采用硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓外延晶圆制造。据Yole预测，至2023年仅基站用GaN射频器件的市场规模就达5亿美元左右。由于氮化镓材料特殊且材料性能影响器件性能，氮化镓器件成本中有相当部分为材料成本。
8、贵公司如何看待GaN国内外主流技术工艺的发展趋势？
答：在功率应用方面，由于硅基氮化镓技术在大尺寸、成本、工艺兼容性等方面的显著优势，硅基氮化镓预计在一段时间内还将保持主流技术地位；在微波应用方面，现有主流技术为碳化硅基氮化镓技术，随着微波器件的普及化，也存在发展微波用硅基氮化镓材料与器件的需求，以进一步降低成本。
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